在集成电路产业中，陶瓷基板材料起到连接与支撑电子器件的作用。因此，陶瓷基板也在集成电路发展的过程中占据着举足轻重的地位，可以说是陶瓷基板的性能决定了集成电路的性能。

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝（Ai2O3）或氮化铝（AIN）陶瓷基片表面（单面或双面）上的特殊工艺。由于其所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能、高导热特性、优异的软钎焊性和高的附着强度等特点，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

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根据封装结构和应用要求，陶瓷基板可分为平面陶瓷基板和三维陶瓷基板两大类。首先是平面陶瓷基板，根据制备原理和工艺的不同，可以分为薄膜陶瓷基板（TFC）、厚膜印刷陶瓷基板（TPC）、直接键合铜陶瓷基板（DBC）、活性金属焊接陶瓷基板（AMB）、直接电镀铜陶瓷基板（DPC）和激光活化金属陶瓷基板（LAM）等。而目前常见的三维陶瓷基板主要有：高/低温共烧陶瓷基板（HTCC/LTCC）、多层烧结三维陶瓷基板（MSC）、直接粘接三维陶瓷基板（DAC）、多层镀铜三维陶瓷基板（MPC）及直接成型三维陶瓷基板（DMC）等。

部分陶瓷基板性能指标（图源网络）

近些年来，中国集成电路产业取得了飞速发展，中国的集成电路产业已成为全球半导体产业关注的焦点。根据国际半导体产业协会(SEMI)数据，随着半导体需求持续增长2016-2022年中国半导体材料市场规模逐年增长，从67.99亿美元上升至129.78亿美元，复合年增长率为11.38%。预计在未来几年，我国集成电路市场将呈现出本土企业竞争力不断增强、市场份额持续扩大的态势。

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集成电路产业进入快速发展期，集成电路产业中电力电子功率模块向着更高频、更小尺寸、更大功率与更大电流方向发展，因此，对陶瓷基板的可靠性也提出了更高的要求。

目前功率型电子元器件发展过程中的关键技术问题是散热。由于大功率、小尺寸、轻型化已经成为未来功率型电子元器件封装的发展趋势，陶瓷基板除了具有优异的导热特性之外，还具有较好的绝缘、耐热、耐压能力及与芯片良好的热匹配性能，已成为中、高端功率型电子元器件封装散热的首选。陶瓷基板表面金属化工艺则是实现陶瓷在功率型电子元器件封装中使用的重要环节,金属化方法决定了陶瓷基板的性能、制造成本、产品良率与使用范围。【苏州复材展】【广州复合材料展】【北京复材展】